АТОМНАЯ ФИЗИКА, КВАНТОВАЯ ФИЗИКА.
Изучение изотопической структуры спектральных линий. Изотопический сдвиг в спектре атомов водорода и дейтерия. ФКЛ-1М-1К
Атом в магнитном поле. Установка для изучения эффекта Зеемана. ФКЛ-2М-1К
Определение концентрации возбужденных атомов в газоразрядной плазме оптическим методом. Определение температуры газоразрядной плазмы методом сравнения интенсивностей спектральных линий. ФКЛ-4МК
Исследование плазмы положительного столба тлеющего разряда методом зондов Ленгмюра. ФКЛ-4М-1К
Изучение элементов туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода. ФКЛ-5К
Определение резонансного потенциала атома инертного газа (ртути). Опыт Франка и Герца. ФКЛ-6К
Определение потенциала возбуждения и ионизации атомов ртути (инертного газа) методом электронного удара. ФКЛ-7К
Изучение рассеяния электронов на атомах ксенона. Определение глубины и ширины потенциальной ямы с помощью эффекта Рамзауэра. ФКЛ — 8К
Изучение зависимости сопротивления металлов от температуры. Определение температурного коэффициента сопротивления металлов. ФКЛ-9К
Изучение зависимости сопротивления полупроводника от температуры. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника. ФКЛ-10К
Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного фотоэлемента. ФКЛ-11К
Определение работы выхода электронов из металла при помощи вольт-амперной характеристики вакуумного диода. ФКЛ-12К
Определение удельного заряда электрона методом магнетрона. ФКЛ-14К
Определение заряда электрона с помощью эффекта Шотки. ФКЛ-14МК
Закон Стефана-Больцмана. Изучение зависимости энергетической светимости нагретого тела от температуры. ФКЛ-15К
Определение ширины запирающего слоя p-n перехода и концентрации примеси в области лавинного пробоя. ФКЛ-16К
Фотопроводимость полупроводников. Изучение внутреннего фотоэффекта с помощью полупроводникового фотодиода. ФКЛ-17К
Фотопроводимость полупроводников. Изучение внутреннего фотоэффекта с помощью полупроводникового фоторезистора. ФКЛ-17МК
Изучение электронно-дырочного перехода. Изучение вольт-амперной характеристики p-n перехода. ФКЛ-18К
Определение заряда электрона с помощью дробового эффекта. ФКЛ-19К
Полупроводниковые оптические генераторы. Определение постоянной Планка на основе измерения напряжения включения полупроводниковых излучающих светодиодов и полупроводникового лазера. ФКЛ-20К
Исследование плазмы тлеющего разряда на примере газоразрядного стабилитрона. ФКЛ-23К
